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MMBT918中文资料PDF规格书

MMBT918
厂商型号

MMBT918

参数属性

MMBT918 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

功能描述

NPN RF Transistor

文件大小

77.14 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 22:59:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBT918

  • 别名:

    MMBT918三极管、MMBT918晶体管、MMBT918晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_宽频带放大 (A)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    3DG122D,

  • 最大耗散功率:

    0.35W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    .05

  • wtest:

    .35

MMBT918规格书详情

NPN RF Transistor

This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and

multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.

Sourced from Process 43.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT918

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    600MHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    6dB @ 60MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
23+
SOT-23(TO-236)
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