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MMBT5087LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MMBT5087LT1G |
参数属性 | MMBT5087LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 |
功能描述 | Low Noise Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
237.57 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-9 17:10:00 |
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MMBT5087LT1G规格书详情
MMBT5087LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MMBT5087LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Low Noise Transistor
PNP Silicon
特性 Features
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号:
MMBT5087LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 100µA,5V
- 频率 - 跃迁:
40MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
880000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
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ON/安森美 |
2023+ |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
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24+ |
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