MMBT4401T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MMBT4401T |
参数属性 | MMBT4401T 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT523 |
功能描述 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-523 |
文件大小 |
182.64 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-8 23:00:00 |
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MMBT4401T规格书详情
MMBT4401T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的MMBT4401T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP Type Available (MMBT4403T)
• Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)
• Green Device (Note 3 and 4)
产品属性
更多- 产品编号:
MMBT4401T-7-F
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
750mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,1V
- 频率 - 跃迁:
250MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-523
- 供应商器件封装:
SOT-523
- 描述:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
SOT523 |
7350 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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DIODES |
2016+ |
SOT523 |
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DIODES/美台 |
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DIODES |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT-523 |
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DIODES/美台 |
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