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MMBT4401M3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBT4401M3 |
| 参数属性 | MMBT4401M3 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 |
| 功能描述 | NPN 双极晶体管 |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 18:35:00 |
| 人工找货 | MMBT4401M3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT4401M3规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-723 surface mount package. This device is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
简介
MMBT4401M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBT4401M3晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT4401M3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.75
- IC Cont. (A)
：0.6
- VCEO Min (V)
：40
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：6
- VBE(sat) (V)
：1.2
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：100
- hFE Max
：300
- fT Min (MHz)
：250
- PTM Max (W)
：0.64
- Package Type
：SOT-723-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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13+ |
SOT23 |
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