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MMDT4401	文件：138.07 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT4401	文件：355.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4401	文件：575.07 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors DUALTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMDT4401	文件：387.07 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4401	文件：175.25 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT4401	文件：1.39046 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT4401	文件：219.18 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT4401	文件：701.29 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT4401	文件：558.95 Kbytes Page：3 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMDT4401	文件：627.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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详细参数

型号：
MMBT4401_G
功能描述：
射频双极电源晶体管 VCEO=40V IC=600mA
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

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更多MMBT4401_G供应商更新时间2025-7-25 11:08:00

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