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MMBT2907A中文资料MMBT2907A: 60 V PNP General-Purpose Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBT2907A

参数属性

MMBT2907A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

功能描述

MMBT2907A: 60 V PNP General-Purpose Transistor
TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:35:00

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MMBT2907A规格书详情

描述 Description

PN2907A、MMBT2907A 和 PZT2907A 是 60 V PNP 双极性晶体管,设计用作通用放大器或开关,适用于要求电流高达 500 mA 的应用。 PZT2907A 采用超小型表面贴装封装 (SOT-223),特别适合用于空间受限的系统。 NPN 补充型号分别为 PN2222A、MMBT2222A 和 PZT2222A。

特性 Features

高直流电流增益 (hFE) 范围: 100 ~ 300
高电流增益带宽乘积 (fT): 200 MHz(最小值)
最大导通时间 (ton): 45 ns
最大关断时间 (toff): 100 ns
超小型表面贴装封装: SOT-223 (PZT2907A)

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBT2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT2907A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT2907A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 60 V PNP General-Purpose Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 0.5 A

  • IC Cont. (A)

    :0.8

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 0.5 A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 150 mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = 150 mA

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 50mA

  • PTM Max (W)

    :0.35

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
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SOT-23
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