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MMBT2907A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMBT2907A
厂商型号

MMBT2907A

参数属性

MMBT2907A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

功能描述

PNP General Purpose Amplifier

丝印标识

2F

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

279.42 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 23:17:00

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MMBT2907A规格书详情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction. Pb Lead-free

● Complementary NPN type available MMBT2222A.

● Ideal for medium power amplification and switching.

APPLICATIONS

● This device is designed as a general purpose amplifier and switching.

● The useful dynamic range extends to 600mA as a switch and to 100MHz as a amplifier.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT2907A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

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