首页>MMBFJ310LT1G>规格书详情
MMBFJ310LT1G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBFJ310LT1G |
| 参数属性 | MMBFJ310LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 |
| 功能描述 | JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N−Channel |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
187.57 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 21:41:00 |
| 人工找货 | MMBFJ310LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBFJ310LT1G规格书详情
MMBFJ310LT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBFJ310LT1G晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
特性 Features
• Drain and Source are Interchangeable
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
MMBFJ310LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 增益：
12dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
2430+ |
SOT-23 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
54858 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT-23 (TO-236) |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
10658 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
