MMBFJ309中文资料N 沟道 RF 晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件设计用于VHF/UHF放大器、振荡器和混频器应用。 作为一个常见的栅极放大器，可以在100MHz时实现16dB，在450MHz时实现12dB。 采用工艺92设计。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBFJ309属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的MMBFJ309晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。