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MMBFJ111分立半导体产品晶体管-JFET规格书PDF中文资料

MMBFJ111
厂商型号

MMBFJ111

参数属性

MMBFJ111 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - JFET;产品描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3

功能描述

N-Channel Switch
JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3

文件大小

450.3 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 23:00:00

MMBFJ111规格书详情

Features

• This Device is Designed for Low Level Analog Switching, Sample

and Hold Circuits and Chopper Stabilized Amplifiers

• Sourced from Process 51

• Source & Drain are Interchangeable

• These are Pb−Free Devices

MMBFJ111属于分立半导体产品 > 晶体管 - JFET。安森美半导体公司制造生产的MMBFJ111晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

产品属性

  • 产品编号:

    MMBFJ111

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3

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