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MMBF4393LT1G分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料

MMBF4393LT1G
厂商型号

MMBF4393LT1G

参数属性

MMBF4393LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

功能描述

JFET Switching Transistors
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

180.21 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 16:32:00

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MMBF4393LT1G规格书详情

MMBF4393LT1G属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由安森美半导体公司制造生产的MMBF4393LT1G晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

JFET Switching Transistors

N−Channel

Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBF4393LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    14pF @ 15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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