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MMFTN170	文件：120.42 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Feature •Voltagecontrolledsmallsignalswitch •Highsaturationcurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMFTN170	文件：109.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features Fastswitchingtimes ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Drivers,Logiclevelconverter Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g CasematerialUL94V-0 S	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMFTN170	文件：145.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFET	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMFTN170	文件：1.00454 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MQSMCGLCE170	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MQSMCGLCE170A	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MQSMCGLCE170ATR	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MQSMCGLCE170TR	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WATTLOWCAPACITANCESURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR DESCRIPTION ThissurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeelementinseriesandoppositedirectiontoachievelowcapacitancebelow100pF.TheyarealsoavailableasRoHSCompliantwithane3suffix.ThelowTVScapacitancemaybeusedforprote	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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详细参数

型号：
MMBF170_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch Enhance
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	MMBF170-Q	FAIRCHILD	24+	原封装	9000	原装现货假一罚十	询价
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更多MMBF170_Q供应商更新时间2025-7-23 13:30:00

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