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MMBD452L中文资料30 V 肖特基二极管,双路,串联,UHF数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBD452L

参数属性

MMBD452L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

功能描述

30 V 肖特基二极管,双路,串联,UHF
DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:45:00

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MMBD452L规格书详情

描述 Description

The Schottky Diode is designed primarily for high efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. The Schottky Diode is supplied in an inexpensive plastic package for low cost, high volume consumer and industrial/commercial requirements.

特性 Features

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime
• Very Low Capacitance
• Low Reverse Leakage
• Pb-Free Package is Available

简介

MMBD452L属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MMBD452L二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBD452L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Series

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :0.45

  • IRM Max (µA)

    :0.2

  • IO(rec) Max (A)

    :-

  • IFSM Max (A)

    :-

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :1.5

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
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ONSEMI
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