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MMBD452分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD452
厂商型号

MMBD452

参数属性

MMBD452 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot-Carrier Diodes

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

155.59 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:55:00

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MMBD452规格书详情

FEATURES

● Very low capacitance.

● Extremely low minority carrier lifetime.

● Low reverse leakage.

● Power dissipation Pd=225mW.

APPLICATIONS

● Designed primarily for UHF and VHF detector applications.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBD452LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1.5pF @ 15V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemiconductor
2025+
SOT23
7695
全新原厂原装产品、公司现货销售
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ON SEMICONDUCTOR
631
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ON/安森美
24+
TSSOP
10000
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ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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PANJIT
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
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ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
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onsemi(安森美)
24+
SOT23(TO236)
7350
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ON/安森美
23+
SOT-23
89630
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2022+
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ON/安森美
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