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MMBD452分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD452
厂商型号

MMBD452

参数属性

MMBD452 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

241.34 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd
企业简称

LUGUANG鲁光电子

中文名称

深圳市鲁光电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:37:00

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MMBD452规格书详情

特性 Features

◇ Very low capacitance.

◇ Extremely low minority carrier lifetime.

◇ Low reverse leakage.

◇ Power dissipation Pd=225mW.

Applications

◇ Designed primarily for UHF and VHF detector applications.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBD452LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1.5pF @ 15V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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SOT-23 (TO-236)
25000
ON全系列可订货
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