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MMBD4448H数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

MMBD4448H

参数属性

MMBD4448H 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

功能描述

switching diode

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MMBD4448H

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Single

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :350 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :80 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :4 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :250 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :70 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :75@2.5μA

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :3.5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.715

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :100nA@70V

  • Packages

    :SOT23

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