首页>MMBD4448DW>规格书详情

MMBD4448DW中文资料switching diode数据手册Diodes规格书

PDF无图
厂商型号

MMBD4448DW

参数属性

MMBD4448DW 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT363

功能描述

switching diode
DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-11-25 23:00:00

人工找货

MMBD4448DW价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MMBD4448DW规格书详情

简介

MMBD4448DW属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由Diodes制造生产的MMBD4448DW二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBD4448DW

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :200 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :75 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :4 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :250 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :2.5 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :75@10μA

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :4 pF

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :2.5μA@75V

  • Packages

    :SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长电
24+
NA/
5840
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
DIODES(美台)
24+
SOT3236
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
DIODES
2016+
SOT363
12000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
DIODES
12+
SOT-363
1700
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
CJ/长电
25+
SOT-363
157367
明嘉莱只做原装正品现货
询价
DIODES/美台
25+
SOT363
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
DIODES/美台
20+
SOT363
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES/美台
23+
SOT-363
12700
买原装认准中赛美
询价
DIODES/美台
23+
SOT-363
50000
只做原装正品
询价
DIODE
SOT363
9500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价