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MMBD355LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：41.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I F = 10 mA 文件：45.93 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBD355LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF= 10 mA 文件：60.78 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMBD355LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：122.87 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355L	文件：300 bytes Page：1 Pages	7.0 V Dual Common Anode Schottky Diode The Schottky Diode is designed primarily for UHF mixer applications but is suitable also for use in detector and ultra fast switching circuits. • Very Low Capacitance - Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n• Pb-Free Packages are Available\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBD355LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基 - 1 对共阳极
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

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