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MMBD2835LT1功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

MMBD2835LT1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes

MMBD2835LT1G功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

MMBD2835LT1G_09制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes

MMBD2836制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode

MMBD2836G制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode

MMBD2836LT1功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

MMBD2836LT1G功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube

MMBD2837制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE