首页>MMBD101LT1G>规格书详情
MMBD101LT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBD101LT1G |
| 参数属性 | MMBD101LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Schottky Barrier Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
96.11 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 17:00:00 |
| 人工找货 | MMBD101LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD101LT1G规格书详情
MMBD101LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MMBD101LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
Designed primarily for UHF mixer applications but suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Supplied in an inexpensive plastic package for low−cost, high−volume consumer requirements. Also available in Surface Mount package.
特性 Features
• Low Noise Figure − 6.0 dB Typ @ 1.0 GHz
• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF
• High Forward Conductance − 0.5 V (Typ) @ IF = 10 mA
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
MMBD101LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
肖特基 - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
NA |
13650 |
原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
1450 |
询价 | |||
ONSEMI |
23+ |
肖特基二极管和整流二极管 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON |
23+ |
285 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | |||
ON |
19+ |
SOT23 |
69000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-23-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT23 |
1450 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ONS |
24+ |
3000 |
询价 |
