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SI4749	文件：1.38865 Mbytes Page：20 Pages	Si474XANTENNA,SCHEMATIC,LAYOUT,ANDDESIGNGUIDELINES	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4749	文件：3.97516 Mbytes Page：302 Pages	Si47XXPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
Si4749	文件：10.08153 Mbytes Page：164 Pages	ThankyouforpurchasingtheSiliconLaboratories	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4749	文件：2.08176 Mbytes Page：68 Pages	Si470X/1X/2X/3X/4XEVALUATIONBOARDTESTPROCEDURE Introduction ThepurposeofthisdocumentistodescribethetestproceduresusedinSiliconLaboratoriesfortheSi470x/1x/2x/3x/4xevaluationboards(EVB).ItisalsointendedtoenablecustomerstoexactlyreplicateSiliconLaboratories’testenvironmentsothatvariancesincustomers’andS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMA4749	文件：318.18 Kbytes Page：4 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode VOLTAGE6.2V~100V ●FEATURES .Forsurfacemountedapplications .1.0Wpowerdissipation .Lowreversecurrent .Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses .Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4749	文件：332.95 Kbytes Page：3 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4749A	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4749A	文件：151.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes1W SurfaceMountZenerDiodes1W	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SMA4749A	文件：194.2 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot1.0W ●Vz3.3V-100V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4749A	文件：352.45 Kbytes Page：3 Pages	1WGLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpower	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI

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