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MSK5805RH	文件：1.45329 Mbytes Page：11 Pages	RADHARDULTRALOWDROPOUTADJUSTABLEPOSITIVELINEARREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
MSK5805RHG	文件：1.45329 Mbytes Page：11 Pages	RADHARDULTRALOWDROPOUTADJUSTABLEPOSITIVELINEARREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
NTD5805N	文件：299.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=51A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5805N	文件：104.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTE5805	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
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详细参数

型号：
ML5805DM-T
制造商：
RF Micro Devices Inc
功能描述：
IC TXRX 5.8GHZ FSK 40-QFN

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