ML51TB9AE数据手册Nuvoton中文资料规格书

描述 Description

ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。

特性 Features

•CPU -全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 -指令集全兼容 MCS-51 -4 级优先级中断配置 -双数据指针 (DPTRs)   •工作条件 -宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V -宽工作频率最高至 24 MHz -工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃  •低功耗特性 -正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz -低功耗运行模式典型功耗 15 uA -低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA -掉电模式典型功耗小于 1 uA -掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行)   •内存 -16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 -可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计（ISP）代码 -APROM中应用编程（IAP）内存 128 字节每页累加 -Flash 内存 100,000 次擦写寿命 -代码安全加密 -256 字节片上 RAM -额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ，通过 MOVX 指令访问  •PDMA -三种模式 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 -所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 -内存到内存模式 传输长度必须字对齐 -外部设备到内存和内存到外部设备模式传输数据长度可以字节对齐 -外部设备到内存和内存到外部设备模式传输数据宽度字节对齐   •时钟源 -24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 -38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) ， 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级 -外置 4 ～ 24 MHz (HXT)晶振输入为精密定时操作 -外置 32.768 kHz (LXT)晶振输入 -运行中可通过软件对时钟源切 -可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512      •外设 -28 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的 2 级电平转换速率控制 -8 通道 GPIO 中断，具备边缘/电平检测，全部 28 个 GPIO 均可配置为输入源之一 -标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051 -两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051 -一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块 -一组16位自动重载定时器 3 -一组可程序设计看门狗定时器 (WDT) -一组专用的自唤醒定时器 (WKT) -两组全双工串口 -一组智能卡接口支持 ISO7816-3 -两组SPI端口支持主机和从机模式，当系统时钟为 24 MHz 时传输速率高达 6 Mbps -两组 I²C 总线支持主机和从机模式，数据传输率高达 400 kpbs -6 * 16 - bit 组，12 通道脉宽调制器（PWM）输出，高达 16 位分辨率 -两组比较器 -一组 12 位 ADC，当 VDD 大于 2.5 V 转换速率高达 500 Ksps   •电源监视器 -欠压检测 (BOD) 可用于低功耗模式，7 个级别可选，可配置中断或复位 -上电复位 (POR) -低电压复位 (LVR)   •强效ESD及EFT能力 -ESD HBM 通过 8 kV -EFT > ± 4.4 kV -闩锁测试通过 150 mA   •开发工具 -Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境 -Nuvoton 电路编程 (Nu-Link) -Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART

应用 Application

穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。