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MJW21193G

Silicon Power Transistors

The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features  Total Harmonic Distortion Characterized  High DC Current Gain  Excellent Gain Linearity  High SOA  These

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ONSEMI

安森美半导体

MJW21193G

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

文件:74.05 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJW21193G

Silicon Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJW21193G

Silicon Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJW21193G

Package:TO-247-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 250V 16A TO247-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJW21193G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 8A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 16A TO247-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MJW21193G供应商 更新时间2026-2-8 23:00:00