MJW18020中文资料高压平面 NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJW18020 |
参数属性 | MJW18020 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 30A TO247-3 |
功能描述 | 高压平面 NPN 双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:26:00 |
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MJW18020规格书详情
描述 Description
The MJW18020 planar High Voltage Power Transistor is specifically designed for motor control applications, high power supplies and UPS¿s for which the high reproducibility of DC and switching parameters minimizes the dead time in bridge configurations.
特性 Features
• High and Excellent Gain Linearity
• Fast and Very Tight Switching Times Parameters tsi and tfi
• Very Stable Leakage Current due to the Planar Structure
• High Reliability
• Pb-Free Package is Available
简介
MJW18020属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJW18020晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJW18020
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- IC Cont. (A)
:30
- VCEO Min (V)
:450
- VCBO (V)
:1000
- VEBO (V)
:9
- VBE(sat) (V)
:1.5
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:14
- hFE Max
:34
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:250
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
固电 |
24+ |
TO-3PN |
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