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MJW1302A中文资料15 A, 230 V, 200 Watt, PNP Bipolar Power Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJW1302A

参数属性

MJW1302A 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 230V 15A TO247-3

功能描述

15 A, 230 V, 200 Watt, PNP Bipolar Power Junction Transistor
TRANS PNP 230V 15A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:00:00

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MJW1302A规格书详情

描述 Description

The MJW3281A Bipolar Complementary Audio Power Transistor is a power transistor for high power audio, disk head positioners and other linear applications.

特性 Features

• Designed for 100 W Audio Frequency
• Gain Complementary: Gain Linearity from 100 mA to 7 A hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A
• Low Harmonic Distortion
• High Safe Operation Area - 1 A/100 V @ 1 Second
• High fT - 30 MHz Typical

简介

MJW1302A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJW1302A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJW1302A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :15

  • VCEO(sus) Min (V)

    :230

  • hFE Min

    :50

  • hFE Max

    :200

  • PTM Max (W)

    :200

  • fT Min (MHz)

    :-

  • Package Type

    :TO-247-3

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