MJW1302A中文资料15 A, 230 V, 200 Watt, PNP Bipolar Power Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJW1302A |
参数属性 | MJW1302A 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 230V 15A TO247-3 |
功能描述 | 15 A, 230 V, 200 Watt, PNP Bipolar Power Junction Transistor |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 12:00:00 |
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MJW1302A规格书详情
描述 Description
The MJW3281A Bipolar Complementary Audio Power Transistor is a power transistor for high power audio, disk head positioners and other linear applications.
特性 Features
• Designed for 100 W Audio Frequency
• Gain Complementary: Gain Linearity from 100 mA to 7 A hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A
• Low Harmonic Distortion
• High Safe Operation Area - 1 A/100 V @ 1 Second
• High fT - 30 MHz Typical
简介
MJW1302A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJW1302A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJW1302A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- IC Continuous (A)
:15
- VCEO(sus) Min (V)
:230
- hFE Min
:50
- hFE Max
:200
- PTM Max (W)
:200
- fT Min (MHz)
:-
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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ON(安森美) |
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标准封装 |
8000 |
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ON |
24+ |
TO-247-3 |
25000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
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2447 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
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询价 |