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MJL21195中文资料SILICON POWER TRANSISTOR数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MJL21195

参数属性

MJL21195 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 250V 16A TO264

功能描述

SILICON POWER TRANSISTOR

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:06:00

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MJL21195规格书详情

描述 Description

16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTSThe MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain – hFE= 25 Min @ IC= 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second

技术参数

  • 产品编号:

    MJL21195

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 8A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 16A TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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