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MJF18004G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJF18004G
厂商型号

MJF18004G

参数属性

MJF18004G 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 5A TO220FP

功能描述

NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
TRANS NPN 450V 5A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

230.81 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 11:38:00

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MJF18004G规格书详情

MJF18004G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJF18004G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

SWITCHMODE

NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications

The MJE/MJF18004G have an applications specific state−of−the−art die designed for use in 220 V line−operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts.

Features

● Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:

♦ High and Flat DC Current Gain hFE

♦ Fast Switching

♦ No Coil Required in Base Circuit for Turn−Off (No Current Tail)

● Full Characterization at 125C

● ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and

Reproducible Parametric Distributions

● Two Package Choices: Standard TO−220 or Isolated TO−220

● MJF18004, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File

#E69369

● These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJF18004G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 500mA,2.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    14 @ 300mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    13MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 5A TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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