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MJE13009中文资料12 A,400 V,NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJE13009

参数属性

MJE13009 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 12A TO220

功能描述

12 A,400 V,NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 400V 12A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:52:00

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MJE13009规格书详情

描述 Description

MJE13009 针对下降时间至关重要的高电压、高速电源开关直感电路而设计。此类器件适用于开关稳压器、逆变器、电机控制、电磁阀/继电器驱动器和反射电路等 115 和 220 V 开关模式应用。

特性 Features

• VCEO(sus) 400 V and 300 V
• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = 100°C
• Inductive Switching Matrix 3 to 12 Amp, 25 and 100?C tc @ 8 A, 100?C is 120 ns (Typ).
• 700 V Blocking Capability
• SOA and Switching Applications Information.
• Pb-Free Package is Available

简介

MJE13009属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE13009晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MJE13009

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 3A,12A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 5A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 12A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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