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MJE13003L-H-C-TA3-T	文件：378.75 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V applications in switch mode. FEATURES * Reverse biased SOA with inductive load @ TC=100°C * Inductive switching matr 文件：378.75 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
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