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MJE13003L-H-B-T9N-R	文件：378.75 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Thesedevicesaredesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedfor115and220Vapplicationsinswitchmode. FEATURES ReversebiasedSOAwithinductiveload@TC=100°C Inductiveswitchingmatr	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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制造商&上传企业

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MJE13003L-H-B-T9N-R

文件：378.75 Kbytes

Page：8 Pages

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION Thesedevicesaredesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedfor115and220Vapplicationsinswitchmode. FEATURES *ReversebiasedSOAwithinductiveload@TC=100°C *Inductiveswitchingmatr

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

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