订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MJD44E3T4G>芯片详情
MJD44E3T4 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MJD44E3T4G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 20mA,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 5A,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
供应商
- 企业:
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
许小姐
- 手机:
13530520535
- 询价:
- 电话:
0755-83201583/83214703
- 传真:
0755-22669259
- 地址:
福田区华强北路上步工业区102栋620室
相近型号
- MJD44H11AJ
- MJD44H11G
- MJD42CRLG
- MJD44H11RL
- MJD42CRL
- MJD44H11RLG
- MJD42CG
- MJD44H11T4
- MJD42C1G
- MJD44H11T4-A
- MJD42C-1
- MJD44H11T4G
- MJD42C
- MJD42
- MJD41CTG
- MJD44H11T5G
- MJD41CTF
- MJD44H11TF
- MJD41CT4G
- MJD44H11TM
- MJD41CT4
- MJD45H10
- MJD45H11
- MJD41CRLG
- MJD45H11-001
- MJD41CRL
- MJD45H11-1G
- MJD41CG
- MJD45H11G
- MJD41C
- MJD361T4-A
- MJD45H11J
- MJD35N04T4G
- MJD35N04G
- MJD45H11RL
- MJD350TF
- MJD45H11RLG
- MJD45H11T4
- MJD350T4G
- MJD45H11T4G
- MJD350T4
- MJD350G
- MJD350-13
- MJD45H11TF
- MJD350-1
- MJD45H11TM
- MJD350
- MJD45VH10G
- MJD34T4G
- MJD47