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MJD31C-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD31C-13
厂商型号

MJD31C-13

参数属性

MJD31C-13 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO252

功能描述

NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

126.03 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 17:43:00

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MJD31C-13规格书详情

Features

• BVCEO > 100V

• IC = 3A high Continuous Collector Current

• ICM = 5A Peak Pulse Current

• Ideal for Power Switching or Amplification Applications

• Complementary PNP Type: MJD32C

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    MJD31C-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252,(D-Pak)

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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