MJB44H11T4-A 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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原厂料号:MJB44H11T4-A品牌:ST/意法半导体

买原装认准中赛美

MJB44H11T4-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ST/意法半导体/STMicroelectronics生产封装D2PAK-3/TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB的MJB44H11T4-A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    MJB44H11T4-A

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体集团

  • 内容页数:

    11 页

  • 文件大小:

    412.27 kb

  • 资料说明:

    Automotive-grade low voltage NPN power transistor

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :MJB44H11T4-A

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Automotive

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :80

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_max(A)

    :10

  • Collector Current_abs_max(A)

    :10

  • Dc Current Gain_min

    :40

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :1

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :8

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商

  • 企业:

    深圳市中赛美电子科技有限公司

  • 商铺:

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    廖小姐

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