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MJB41CT4G

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MJB41CT4G

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MJB41CT4G

onsemi(安森美)TO-263-2

22412

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MJB41C

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MJB41CT4G

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5243

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MJB41CG

1983

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MJB41CT4G

ON(安森美)NA

20094

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深圳市富达微科技有限公司

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MJB41CT4G

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8000

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MJB41CG

ONSemiconductorNA

3736

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进口原装正品优势供应

深圳市能创芯电子科技有限公司

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OND2PAK

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MJB41C

ONTO-220-3

50000

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原装正品假一罚十,代理渠道价格优

深圳市富利微电子科技有限公司

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MJB41CT4G

ON/安森美TO-263-2

30000

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原装正品公司现货,假一赔十!

深圳市创新迹电子有限公司

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MJB41CT4G

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ON(安森美)TO-263-2

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MJB41C

ON/安森美TO-263

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MJB41CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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