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MIEB100W1200TEH数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

MIEB100W1200TEH

参数属性

MIEB100W1200TEH 封装/外壳为E3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3

功能描述

IGBT MODULE 1200V 183A HEX

封装外壳

E3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:39:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MIEB100W1200TEH

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • 配置

    :三相反相器

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :1200V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :183A

  • 功率 - 最大值

    :630W

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.2V @ 15V,100A

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :300µA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies)

    :7.43nF @ 25V

  • 输入

    :标准

  • NTC 热敏电阻

    :是

  • 工作温度

    :-40°C ~ 125°C (TJ)

  • 安装类型

    :底座安装

  • 封装/外壳

    :E3

  • 供应商器件封装

    :E3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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