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MZ114	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
N114B	文件：94.03 Kbytes Page：5 Pages	1/4ENCLOSEDPHONEJACKS	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
N114BPC	文件：94.03 Kbytes Page：5 Pages	1/4ENCLOSEDPHONEJACKS	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
NCP114	文件：826.22 Kbytes Page：18 Pages	CMOSLowDropoutRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP114	文件：799.37 Kbytes Page：8 Pages	300mACMOSLowDropoutRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP114	文件：136.36 Kbytes Page：8 Pages	HighAccuracyVeryLowDropoutBiasRailCMOSVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGRUS114	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NHDTA114_SER	文件：295.87 Kbytes Page：16 Pages	80V,100mAPNPresistor-equippedtransistors 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberR1R2Package kΩkΩNexperiaJEITA NPNcomplement: NHDTA114EU1010NHDTC114EU NHDTA124EU2222NHDTC124EU	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NHDTA114ET	文件：297.97 Kbytes Page：16 Pages	80V,100mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Highbreakdownvoltage •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NHDTA114ET	文件：299.4 Kbytes Page：16 Pages	80V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Highbreakdownvoltage •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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