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MIC5321-SSYMT	文件：428.92 Kbytes Page：12 Pages	Dual, High Performance 150mA UCap ULDO GeneralDescription TheMIC5321isatinyDualUltraLow-Dropout(ULDO™)linearregulatorideallysuitedforthoseapplicationsthatrequirehighPSRRbecauseitprovidesabypasspinforthosenoisesensitiveportableelectronics.TheMIC5321integratestwohigh-performance;150mAULDOsintoav	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIC5321-SSYMT	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	Dual, High Performance 150mA 關Cap ULDO?	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIC5321-SSYMT-TR	文件：2.44425 Mbytes Page：26 Pages	High-Performance, Dual 150 mA 關Cap Ultra-Low Dropout Regulator GeneralDescription TheMIC5321isatiny,dualultra-lowdropoutlinear regulatorideallysuitedforapplicationsthatrequirehigh PSRRbecauseitprovidesabypasspinforthosenoise sensitiveportableelectronics.TheMIC5321integrates twohigh-performance150mAULDOsintoavery comp	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MM5321	文件：434.75 Kbytes Page：4 Pages	TVCAMERASYNCGENERATOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MM5321	文件：307.77 Kbytes Page：6 Pages	TVcamerasyncgenerator	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NX5321	文件：237.32 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,FTTH InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5321Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. APPLICATIONS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5321	文件：190.36 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,FTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5321	文件：87 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,FTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5321Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=7mA •Differential	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX5321EH	文件：87 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,FTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5321Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=7mA •Differential	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX5321EH	文件：237.32 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,FTTH InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5321Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. APPLICATIONS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
MIC5321-SSYMT
功能描述：
低压差稳压器 - LDO Dual 150mA LDO Thin MLF Enable and Bypass(Lead Free)
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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