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MHT1006N中文资料728-2700 MHz、10 W连续波、28 V射频功率晶体管,适用于消费电子和商用烹饪数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MHT1006N

功能描述

728-2700 MHz、10 W连续波、28 V射频功率晶体管,适用于消费电子和商用烹饪

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:03:00

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MHT1006N规格书详情

描述 Description

The MHT1006NT1 RF power LDMOS transistor is suitable for industrial heating applications from 728 to 2700 MHz. Device is capable of both CW and pulse operation.

特性 Features

• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Universal Broadband Driven Device with Internal RF Feedback
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 16 mm Tape Width, 7-inch Reel.

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