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MJE371	文件：100.04 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·ComplementtotypeMJE521 APPLICATIONS ·Foruseingeneral-purposeampliferandswitchingcircuits, ·Recommendedforusein5to20Waudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuity	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE371	文件：92.79 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage— :VCEO(SUS)=-40V ·DCCurrentGain— :hFE=40(Min)@IC=-1A ·ComplementtoTypeMJE521 APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingcircuits. ·Recommendedforusein5~20Wattaudioa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE371	文件：66.66 Kbytes Page：3 Pages	PlasticMedium?뭁owerPNPSiliconTransistor PlasticMedium−PowerPNPSiliconTransistor Thisdeviceisdesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to20Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=1.0Adc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJE371	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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MJE371G	文件：101.36 Kbytes Page：3 Pages	PlasticMedium-PowerPNPSiliconTransistor PlasticMedium−PowerPNPSiliconTransistor Thisdeviceisdesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to20Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=1.0Adc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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