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MMB352	文件：285.69 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE-50to1000Volts VOLTAGERANGE-50to1000Volts CURRENT-35Amperes FEATURES DiffusedJunction Surgeoverloadratings-400Amperes MetalcaseforMaximumHeatDissipation Lowforwardvoltagedrop HighReliability Highcurrentcapability MECHANICALDATA *Case:Meta	DCCOM Dc Components	DCCOM
MMB352W	文件：264.1 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSPECIALISTS VOLTAGERANGE-50to1000Volts CURRENT-35Amperes FEATURES DiffusedJunction Surgeoverloadratings-400Amperes MetalcaseforMaximumHeatDissipation Lowforwardvoltagedrop HighReliability Highcurrentcapability MECHANICALDATA *Case:Meta	DCCOM Dc Components	DCCOM
MMBD352	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352	文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：229.52 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD352	文件：237.46 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes Features Verylowcapacitance—Lessthan1.0pF@zeroV. Lowforwardvoltage—IF=10mA. PowerdissipationPd=300mW Pb/RoHSFree Applications DesignedprimarilyforUHFmixerapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD352	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
MHO352TAG-R
制造商：
MTRONPTI
制造商全称：
MTRONPTI
功能描述：
14 pin DIP, 3.3 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙腾翼电子科技有限公司	MHO-44FAD15.0000MHZ		2000		64		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MHOA21010	MOT	1822+		9852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
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更多MHO352TAG-R供应商更新时间2025-6-7 8:01:00

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