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MGFX39V0717
厂商型号

MGFX39V0717

功能描述

10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

文件大小

92.97 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企业简称

MITSUBISHI三菱电机

中文名称

三菱电机株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 8:31:00

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MGFX39V0717规格书详情

DESCRIPTION

The MGFX39V0717 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 10.7 ~ 11.7 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● High output power

P1dB = 8 W (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

● High linear power gain

GLP = 7.0 dB (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

● High power added efficiency

ηadd = 26 (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

APPLICATION

For use in 10.7 ~ 11.7 GHz band power amplifiers

产品属性

  • 型号:

    MGFX39V0717

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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