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MGFK49G3745中文资料High Frequency Devices-GaN High Frequency Devices High Power GaN HEMT for Satellite Comm. MGFK49G3745数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：MGFK49G3745
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Frequency
：13.75～14.5GHz
- Drain-Source Voltage Typ
：24V
- Output Power Typ
：80W
- Package
：GF-38
- Power Added Efficiency Typ
：28%
- Linear Power Gain Typ
：6.5(min) 7.5(typ)dB
- Output Power at 3dB Gain Compression
：48.0(min) 49.0(typ)
- 3rd order InterModulation distortion
：-25(min)dBc
- Product Type
：IMFET
- RoHS Directive
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROGAFE |
21+ |
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4000 |
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麦捷科技 |
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con |
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MICROGATE/麦捷科技 |
24+ |
DJSe |
60000 |
全新原装现货 |
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0603-4.7UH |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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NA |
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MICROGATE |
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MICROGATE |
563 |
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