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MGFK49G3745数据手册MITSUBISHI中文资料规格书

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厂商型号

MGFK49G3745

功能描述

High Frequency Devices-GaN High Frequency Devices High Power GaN HEMT for Satellite Comm. MGFK49G3745

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:12:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MGFK49G3745

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Frequency

    :13.75~14.5GHz

  • Drain-Source Voltage Typ

    :24V

  • Output Power Typ

    :80W

  • Package

    :GF-38

  • Power Added Efficiency Typ

    :28%

  • Linear Power Gain Typ

    :6.5(min) 7.5(typ)dB

  • Output Power at 3dB Gain Compression

    :48.0(min) 49.0(typ)

  • 3rd order InterModulation distortion

    :-25(min)dBc

  • Product Type

    :IMFET

  • RoHS Directive

    :-

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