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MGFK33V4045中文资料PDF规格书
MGFK33V4045规格书详情
DESCRIPTION
The MGFK33V4045 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 14.0 ~ 14.5 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
● Internally impedance matched
● Flip-chip mounted
● High output power
P1dB = 2.0W (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz
● High linear power gain
GLP = 7.0dB (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz
● High power added efficiency
ηadd = 22 (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz, P1dB
APPLICATION
For use in 14.0 ~ 14.5 GHz-band amplifiers
产品属性
- 型号：
MGFK33V4045
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
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