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MGFC45V3642A_04中文资料PDF规格书

MGFC45V3642A_04
厂商型号

MGFC45V3642A_04

功能描述

3.6 - 4.2GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

文件大小

230.61 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 MITSUBISHI electlic
企业简称

Mitsubishi三菱电机

中文名称

三菱电机官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 18:58:00

MGFC45V3642A_04规格书详情

DESCRIPTION

The MGFC45V3642A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 3.6 - 4.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

Class A operation

Internally matched to 50(ohm) system

High output power P1dB = 32W (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz

High power gain GLP = 11 dB (TYP.) @ f=3.6 - 4.2GHz

High power added efficiency P.A.E. = 36 (TYP.) @ f=3.6 - 4.2GHz

Low distortion [item -51] IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 3.6 - 4.2 GHz band power amplifier

item 51 : 3.6 - 4.2 GHz band digital radio communication

产品属性

  • 型号:

    MGFC45V3642A_04

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    3.6 - 4.2GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
2017+
SMD
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MITSUBISHI/三菱
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