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MGF4910D	文件：579.62 Kbytes Page：10 Pages	TAPECARRIERSUPERLOWNOISEINGAASHEMT	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4910E	文件：198.33 Kbytes Page：4 Pages	SUPERLOWMOISEInGaAsHEMT	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MSD4910C	文件：272.17 Kbytes Page：7 Pages	0.4INCH(10.1MM)TWODIGITSTICKDISPLAY	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MST4910C	文件：1.12688 Mbytes Page：7 Pages	10mm(0.400inch)ThreeDigitNUMERICSTICKDISPLAY MST4110CBrightRedThreeDigit,RHDP,CommonAnode MST4140CBrightRedThreeDigit,RHDP,CommonCathode MST4410CGreenThreeDigit,RHDP,CommonAnode MST4440CGreenThreeDigit,RHDP,CommonCathode MST4910CHighEfficiencyRedThreeDigit,RHDP,CommonAnode MST4Y40CHighEfficiencyRedT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NSL-4910	文件：20.5 Kbytes Page：1 Pages	TO-8PhotocellsHermeticPackage	SILONEX Luna Innovations Incorporated	SILONEX
NSL-4910	文件：331.89 Kbytes Page：1 Pages	TO-8HermeticPhotocell	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
NTD4910N	文件：299.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD4910N	文件：145.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30V,37A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE4910	文件：26.04 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorUnidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
PE4910	文件：262.16 Kbytes Page：3 Pages	SMAFemaleConnectorSolderAttachmentSurfaceMountPCB	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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