MGD623S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

MGD623S是600V Trench型IGBT。采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。

特性 Features

・低饱和电压
・高速开关
・内置FRD
・端子部无铅（符合RoHS指令）

应用 Application

・微波炉
・IH电磁炉
・逆变器电路

简介

MGD623S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的MGD623S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。