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MGB15N35CLT4数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号:
MGB15N35CLT4
- 功能描述:
IGBT 晶体管 15A 350V Ignition
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
15766 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
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ON |
03+ |
TO-263 |
2400 |
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ON/安森美 |
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SOT-263 |
30000 |
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ON |
TO263 |
15766 |
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ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
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ON |
24+ |
TO-263 |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO263 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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