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MG600Q1US61	文件：234.26 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT HighPowerSwitchingApplications MotorControlApplications ●Highinputimpedance ●Highspeed:tf=0.3µs(max) Inductiveload ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.6V(max) ●Theelectrodesareisolatedfromcase. ●Enhancement-mode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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MG600Q1US61

文件：234.26 Kbytes

Page：8 Pages

TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications MotorControlApplications ●Highinputimpedance ●Highspeed:tf=0.3µs(max) Inductiveload ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.6V(max) ●Theelectrodesareisolatedfromcase. ●Enhancement-mode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
MG600Q1US61
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

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更多MG600Q1US61供应商更新时间2024-5-15 16:00:00

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