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MG600Q1US61

TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications Motor Control Applications ● High input impedance ● High speed: tf = 0.3 µs (max) Inductive load ● Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.6 V (max) ● The electrodes are isolated from case. ● Enhancement-mode

文件:234.26 Kbytes 页数:8 Pages

TOSHIBA

东芝

MG600Q1US61

TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

Toshiba

东芝

MG630

SSOT-4包

矩阵

MG73P034-071TCZ

QFP

OKIOki Electric Cable Co.,Ltd

冲电线日本冲电线株式会社

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

MG80486DX-33

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

详细参数

  • 型号:

    MG600Q1US61

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

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更多MG600Q1US61供应商 更新时间2026-1-31 16:31:00