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MG0675S-BN4MM数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
MG0675S-BN4MM规格书详情
特性 Features
• 具有卓越防短路性能和自限短路电流
• 正温度系数VCE（sat）
• 快速切换和短拖尾电流
• 具有快速、软反向恢复功能的续流二极管
• 低开关损耗
技术参数
- 制造商编号
：MG0675S-BN4MM
- 生产厂家
：Littelfuse
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：1.45
- VGES - Gate-Emitter Voltage (V)
：+/-20
- Ptot - Power Dissipation Per IGBT (W)
：250
- Eoff - Turn-off Energy (mJ)
：2.4
- Package Type
：bulk
- Topology
：circuit B
- UL Recognized File Number
：E71639
- Data Sheet (Yes/No)
：Yes
- Marking Code
：MG0675S-BN4MM
- Mounting Method
：Screw
- Packing Type
：S
- Package Size
：Package S: 94 x 34 x 30 (mm)
- Public part (Yes/No)
：Yes
- RoHS
：Yes
- Sample capable
：Yes
- SBU
：SBU
- StockCheck
：Yes
- Technology
：IGBT Module
- RthJC - Junction-to-Case Thermal Resistance (Per IGBT) (K/W)
：0.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Amphenol |
24+ |
8215 |
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询价 | |||
NEC |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
MODULE |
13000 |
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NEC |
24+ |
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Cornell-Dubilier |
新 |
5 |
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询价 | |||
Honeywell |
25+ |
传感器 |
16000 |
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询价 | ||
ASI |
24+ |
1000 |
询价 | ||||
Littelfuse Inc. |
23+ |
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2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
Littelfuse Inc. |
2022+ |
S3 |
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Toshiba |
2025+ |
12420 |
询价 |
